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      2. 微電子器件物理第九章測試題

        時間:2021-06-10 17:16:37 試題 我要投稿

        微電子器件物理第九章測試題

          問題:

        微電子器件物理第九章測試題

          1.例舉出芯片廠中6個不同的生產(chǎn)區(qū)域并對每一個生產(chǎn)區(qū)域做簡單描述。(20分)

          2.離子注入前一般需要先生長氧化層,其目的是什么?(10分)

          3.離子注入后為什么要進行退火?(10分)

          4.光刻和刻蝕的目的是什么?(20分)

          5.為什么要采用LDD工藝?它是如何減小溝道漏電流的?(10分)

          6.為什么晶體管柵結構的形成是非常關鍵的工藝?更小的柵長會引發(fā)什么問題?(10分)

          7、描述金屬復合層中用到的材料?(10分)

          8、STI隔離技術中,為什么采用干法離子刻蝕形成槽?(10分)

          答案:

          1.答:芯片廠中通常分為擴散區(qū)、光刻區(qū)、刻蝕區(qū)、離子注入?yún)^(qū)、薄膜生長區(qū)和拋光區(qū)6個生產(chǎn)區(qū)域:

         、 擴散區(qū)是進行高溫工藝及薄膜積淀的區(qū)域,主要設備是高溫爐和濕法清洗設備;

          ②光刻區(qū)是芯片制造的心臟區(qū)域,使用黃色熒光管照明,目的是將電路圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上;

         、劭涛g工藝是在硅片上沒有光刻膠保護的地方留下永久的圖形;

         、茈x子注入是用高壓和磁場來控制和加速帶著要摻雜的雜質(zhì)的氣體;高能雜質(zhì)離子穿透涂膠硅片的表面,形成目標硅片;

         、荼∧どL主要負責生產(chǎn)各個步驟中的介質(zhì)層與金屬層的淀積。

         、迴伖,即CMP(化學機械平坦化)工藝的目的是使硅片表面平坦化

          2.答:氧化層保護表面免污染,免注入損傷,控制注入溫度

          3.推進,激活雜質(zhì),修復損傷。

          4.光刻的目的是將電路圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上,而刻蝕的目的是在硅片上無光刻膠保護的地方留下永久的圖形。即將圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面

          5.溝道長度的縮短增加了源漏穿通的可能性,將引起不需要的漏電流,所以需要采用LDD工藝。輕摻雜漏注入使砷和BF2這些較大質(zhì)量的摻雜材料使硅片的上表面成為非晶態(tài)。大質(zhì)量材料和表面非晶態(tài)的結合有助于維持淺結,從而減少源漏間的溝道漏電流效應

          6.因為它包括了最薄的柵氧化層的熱生長以及多晶硅柵的`刻印和刻蝕,而后者是整個集成電路工藝中物理尺度最小的結構。多晶硅柵的寬度通常是整個硅片上最關鍵的CD線寬。隨著柵的寬度不斷減少,柵結構(源漏間的硅區(qū)域)下的溝道長度也不斷減少。晶體管中溝道長度的減少增加了源漏間電荷穿通的可能性,并引起了不希望的溝道漏電流。

          7.

         。1)淀積Ti,使鎢塞和下一層金屬良好鍵合,層間介質(zhì)良好鍵合;

          (2)Al,Au合金,加入銅抗電遷移

         。3)TiN作為下一次光刻的抗反射層

          8.采用干法刻蝕,是為了保證深寬比

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