電工電子技術(shù)基礎(chǔ)試題
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一、判斷題
1、電壓，也稱(chēng)作電勢(shì)差或電位差，是衡量單位電荷在靜電場(chǎng)中由于電勢(shì)不同所產(chǎn)生的能量差的物理量。(√)
2、在導(dǎo)體上施加電壓就會(huì)有電流流過(guò)。(√)
3、導(dǎo)體對(duì)電流的阻礙作用就叫該導(dǎo)體的電阻。(√)
4、電動(dòng)勢(shì)是表示非靜電力把單位正電荷從負(fù)極經(jīng)電源內(nèi)部移到正極所做的功。(√)
5、電器設(shè)備在單位時(shí)間內(nèi)消耗的電能稱(chēng)為電功率。(√)
6、在同一電路中，導(dǎo)體中的電流跟導(dǎo)體兩端的電壓成正比，跟導(dǎo)體的電阻阻值成反比,這就是歐姆定律。(√)
7、電磁場(chǎng)可由變速運(yùn)動(dòng)的帶電粒子引起，也可由強(qiáng)弱變化的電流引起。(√)
8、電磁感應(yīng)是因磁通量變化產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象。(√)
9、電路的基本組成部分是電源和負(fù)載。(×)
10、電路中能提供電能的稱(chēng)為電源元件。(√)
11、通過(guò)一根導(dǎo)線(xiàn)將電阻連接在一起的方法稱(chēng)為串聯(lián)連接。(√)
12、將2個(gè)以上電阻用平行連接的方法稱(chēng)為并聯(lián)連接。(√)
13、電氣回路中流過(guò)的電流超過(guò)一定數(shù)值時(shí)，保護(hù)裝置起作用，保護(hù)回路安全。(√)
14、通斷裝置就是在電氣回路中設(shè)置的接通和斷開(kāi)電源的裝置。(√)
15、半導(dǎo)體是構(gòu)成電子控制零部件的基礎(chǔ)單元。(√)
16、半導(dǎo)體如果受外部刺激，其性質(zhì)不會(huì)發(fā)生變化。(×)
17、半導(dǎo)體分為P型、N型和H型。(×)
18、二極管是P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體接合而成的。(√)
19、二極管具有單向?qū)ㄐ阅堋?√)
20、一般整流用二極管。(√)
21、齊納二極管是一種特殊的二極管。(√)
22、晶體管是在PN接合半導(dǎo)體上，再接合一塊P型或N型半導(dǎo)體。(√)
23、晶體管的工作原理同二極管相同。(×)
24、晶體管的作用就是開(kāi)關(guān)作用。(×)
25、增幅作用是晶體管的運(yùn)用之一。(√)
二、單選題
1、電壓的符號(hào)為(C)。
(A)R (B)I (C)U (D)P
2、電壓的單位是(A)。
(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)歐姆
3、電流的符號(hào)為(B)。
(A)R (B)I (C)U (D)P
4、電流的單位是(C)。
(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)歐姆
5、電阻的符號(hào)為(A)。
(A)R (B)I (C)U (D)P
6、電阻的單位是(D)。
(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)歐姆
7、電動(dòng)勢(shì)的符號(hào)為(A)。
(A)E (B)I (C)U (D)P
8、電動(dòng)勢(shì)的單位是(A)。
(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)歐姆
9、電功率的符號(hào)為(D)。
(A)R (B)I (C)U (D)P
10、電功率的單位是(B)。
(A)伏特 (B)瓦特 (C)安培 (D)歐姆
11、關(guān)于歐姆定律，選出合適的描述(B)。
(A)電流與電阻成正比 (B)電流與電壓成正比
(C)電流與電壓成反比 (D)電流與電阻、電壓無(wú)關(guān)
12、向1歐姆的電阻施加1伏特的電壓時(shí)產(chǎn)生的電流大小就是(D)安培。
(A)0 (B)0.5 (C)1.5 (D)1
13、引起電磁場(chǎng)的原因是(A)。
(A)由變速運(yùn)動(dòng)的帶電粒子引起 (B)由不變的電壓引起
(C)由不變的電流引起 (D)由較大的電阻引起的
14、引起電磁場(chǎng)的原因是(C)。
(A)由不變的電流引起的 (B)由不變的電壓引起的
(C)由強(qiáng)弱變化的電流引起的 (D)由較大的電阻引起的
15、感應(yīng)電流產(chǎn)生的條件是(B)。
(A)無(wú)切割磁感線(xiàn)的運(yùn)動(dòng)(B)電路是閉合且通的 (C)電路時(shí)打開(kāi)的 (D)磁通量不變化
16、感應(yīng)電流產(chǎn)生的條件是(C)。
(A)無(wú)切割磁感線(xiàn)的運(yùn)動(dòng) (B)電路時(shí)打開(kāi)的
(C)穿過(guò)閉合電路的磁通量發(fā)生變化 (D)磁通量不變化
17、電路的基本組成部分是電源、負(fù)載和(A)。
(A)連接導(dǎo)線(xiàn) (B)電動(dòng)勢(shì) (C)負(fù)極 (D)正極
18、電路的基本組成部分是連接導(dǎo)線(xiàn)、負(fù)載和(A)。
(A)正極 (B)電動(dòng)勢(shì) (C)負(fù)極 (D)電源
19、電路中能提供電能的稱(chēng)為(D)。
(A)耗能元件 (B)儲(chǔ)能元件 (C)無(wú)源元件 (D)電源元件
20、電路中不能提供電能的稱(chēng)為(D)。
(A)耗能元件 (B)儲(chǔ)能元件 (C)電源元件 (D)無(wú)源元件
21、串聯(lián)連接回路中，流過(guò)各電阻的電流(C)。
(A)同各電阻的阻值成正比 (B)同各電阻的阻值成反比 (C)相同 (D)逐漸減小
22、串聯(lián)連接回路中，加在各電阻的電壓(A)。
(A)同各電阻的阻值成正比 (B)同各電阻的阻值成反比 (C)相同 (D)逐漸增大
23、并聯(lián)連接回路中，加在各電阻上的電壓(C)。
(A)同各電阻的阻值成正比 (B)同各電阻的阻值成反比 (C)相同(D)以上選項(xiàng)都不是
24、并聯(lián)連接回路中，總的電流等于各電阻的`(A)。
(A)電流之和 (B)電流之積 (C)電流平均值 (D)電流均方根值
25、常見(jiàn)的保護(hù)裝置是指(C)。
(A)繼電器 (B)開(kāi)關(guān) (C)熔斷器 (D)電磁閥
26、熔斷器的容量大約是負(fù)荷電流(B)倍。
(A)1 (B)1.5 (C)5 (D)10
27、常見(jiàn)的通斷裝置是指開(kāi)關(guān)和(D)。
(A)電磁閥 (B)傳感器 (C)熔斷器 (D)繼電器
28、繼電器是利用作用在線(xiàn)圈上的(C)開(kāi)閉其觸點(diǎn)，以便接通和斷開(kāi)電源。
(A)磁力線(xiàn) (B)磁場(chǎng) (C)電磁力 (D)永久磁場(chǎng)
29、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能(C)。
(A)比導(dǎo)體好 (B)比絕緣體差 (C)介于導(dǎo)體和絕緣體之間 (D)接近金屬導(dǎo)體
30、常見(jiàn)的半導(dǎo)體有硅和(D)。
(A)碳 (B)銅 (C)鉛 (D)鍺
31、如果溫度升高，半導(dǎo)體的自由電子數(shù)將(A)。
(A)增加 (B)不變 (C)減少 (D)一會(huì)增加，一會(huì)減少
32、如果溫度升高，半導(dǎo)體的電阻值將(A)。
(A)增加 (B)不變 (C)減少 (D)一會(huì)增加，一會(huì)減少
33、P型半導(dǎo)體是在有4個(gè)價(jià)電子的硅或鍺中加入了有(B)個(gè)價(jià)電子的銦元素。
(A)1 (B)3 (C)5 (D)7
34、N型半導(dǎo)體是在有4個(gè)價(jià)電子的硅或鍺中加入了有(C)個(gè)價(jià)電子的砷元素。
(A)1 (B)3 (C)5 (D)7
35、P型半導(dǎo)體帶有很多(A)。
(A)帶正電量的空穴 (B)帶負(fù)電量的空穴
(C)帶正電量的自由電子 (D)帶負(fù)電量的自由電子
36、N型半導(dǎo)體帶有很多(D)。
(A)帶正電量的空穴 (B)帶負(fù)電量的空穴
(C)帶正電量的自由電子 (D)帶負(fù)電量的自由電子
37、在二極管的P型側(cè)接電源的正極，在N型側(cè)接電源的負(fù)極，其接合部的電場(chǎng)屏蔽將(D)。
(A)增強(qiáng) (B)不變 (C)減弱 (D)消失
38、在二極管的P型側(cè)接電源的正極，在N型側(cè)接電源的負(fù)極，自由電子將越過(guò)接合面向(A)移動(dòng)。
(A)正極 (B)負(fù)極 (C)一半向正極，一半向負(fù)極 (D)百分之二十向負(fù)極
39、半波整流使用(A)個(gè)二極管。
(A)1 (B)2 (C)3 (D)4
40、全波整流使用(D)個(gè)二極管。
(A)1 (B)2 (C)3 (D)4
41、在齊納二極管上施加逆方向電壓，當(dāng)電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，(D)。
(A)會(huì)急劇產(chǎn)生電流 (B)會(huì)急劇產(chǎn)生電阻
(C)會(huì)急劇產(chǎn)生電流導(dǎo)致二極管擊穿損壞 (D)會(huì)急劇產(chǎn)生電流而不會(huì)出現(xiàn)擊穿損壞
42、齊納二極管的齊納電壓與二極管的擊穿電壓相比，齊納電壓(C)。
(A)高 (B)低 (C)相同 (D)不確定
43、晶體管有(B)型。
(A)NNP (B)NPN (C)PNN (D)PPN
44、晶體管有(C)型。
(A)NNP (B)NPP (C)PNP (D)PPN
45、對(duì)NPN型晶體管，如果在集電極和發(fā)射極施加電壓，其中集電極為正電壓，那么發(fā)射極內(nèi)的自由電子(A)。
(A)朝基極側(cè)移動(dòng) (B)朝集電極側(cè)移動(dòng) (C)不動(dòng) (D)在發(fā)射極處無(wú)序運(yùn)動(dòng)
46、對(duì)NPN型晶體管，如果在集電極和發(fā)射極施加電壓，其中集電極為正電壓，那么基極內(nèi)的空穴(A)。
(A)朝集電極側(cè)移動(dòng) (B)朝發(fā)射極側(cè)移動(dòng) (C)不動(dòng) (D)在基極處無(wú)序運(yùn)動(dòng)
47、在汽車(chē)中與電子控制相關(guān)的回路的開(kāi)閉一般由(D)來(lái)進(jìn)行。
(A)開(kāi)關(guān) (B)繼電器 (C)二極管 (D)晶體管
48、晶體管不存在類(lèi)似繼電器(B)磨損、燒損等情況。
(A)線(xiàn)圈 (B)觸點(diǎn) (C)電磁力 (D)磁力線(xiàn)
49、在開(kāi)關(guān)回路中，主要運(yùn)用了晶體管的(D)優(yōu)點(diǎn)。
(A)不存在類(lèi)似繼電器觸點(diǎn)磨損、燒損等情況 (B)可以實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)閉
(C)不會(huì)發(fā)生間歇電震 (D)可實(shí)現(xiàn)小電流控制大電流。
50、晶體管的運(yùn)用有開(kāi)關(guān)回路、定時(shí)回路、電壓限制和(D)。
(A)發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速傳感 (B)空氣流量傳感 (C)溫度傳感 (D)電子點(diǎn)火
三、多選題
1、下面有關(guān)電壓講述正確的是(ABCE)。
(A)電壓是靜電場(chǎng)或電路中兩點(diǎn)間電動(dòng)勢(shì)之差 (B)電壓的單位是伏特
(C)電壓可分為高電壓與低電壓 (D)電壓的大小取決于電動(dòng)勢(shì) (E)電壓的符號(hào)是U
2、下面有關(guān)電壓和電流講述正確的是(ABCD)。
(A)在導(dǎo)體上施加電壓就會(huì)有電流流過(guò) (B)電流的單位是安培
(C)電壓可分為交流電和直流電 (D)電流的符號(hào)是I (E)電流是自行產(chǎn)生的
3、下面有關(guān)電阻講述正確的是(ABDE)。
(A)導(dǎo)體對(duì)電流的阻礙作用就叫該導(dǎo)體的電阻。 (B)電阻的單位是歐姆
(C)電阻可分為交流電阻和直流電阻 (D)電阻的符號(hào)是R
(E)導(dǎo)體的長(zhǎng)度、材料相同時(shí)，橫截面積越大，電阻越小
4、下面有關(guān)電動(dòng)勢(shì)講述正確的是(ADE)。
(A)電動(dòng)勢(shì)是表示非靜電力把單位正電荷從負(fù)極經(jīng)電源內(nèi)部移到正極所做的功
(B)電動(dòng)勢(shì)是表示靜電力把單位正電荷從電場(chǎng)中的某一點(diǎn)移到另一點(diǎn)所做的功
(C)電動(dòng)勢(shì)單位是瓦特 (D)電動(dòng)勢(shì)的符號(hào)是E (E)電動(dòng)勢(shì)的單位是伏特
5、下面有關(guān)電功率講述正確的是(ABC)。
(A)電功率是電氣設(shè)備在單位時(shí)間內(nèi)消耗的電能 (B)電功率的單位是瓦特
(C)電功率的符號(hào)為P (D)電功率的大小與時(shí)間無(wú)關(guān) (E)電功率的大小和電壓無(wú)關(guān)
6、關(guān)于歐姆定律，選出合適的描述(BE)。
(A)電流與電阻成正比 (B)電流與電壓成正比 (C)電流與電壓成反比
(D)電流與電阻、電壓無(wú)關(guān) (E)電流與電阻成反比
7、引起電磁場(chǎng)的原因是(CD)。
(A)由不變的電流引起 (B)由不變的電壓引起 (C)由強(qiáng)弱變化的電流引起
(D)由變速運(yùn)動(dòng)的帶電粒子引起 (E)由不變的電阻引起
8、感應(yīng)電流產(chǎn)生的條件有(ABC)。
(A)電路是閉合且通的 (B)穿過(guò)閉合電路的磁通量發(fā)生變化
(C)電路的一部分在磁場(chǎng)中做切割磁感線(xiàn)運(yùn)動(dòng)
(D)磁通量不需變化 (E)電路可以是打開(kāi)的
9、電路的基本組成部分是(ABC)。
(A)電源 (B)負(fù)載 (C)連接導(dǎo)線(xiàn) (D)正極 (E)負(fù)極
10、電路中無(wú)源元件的分類(lèi)為(B)。
(A)有源元件 (B)儲(chǔ)能元件 (C)耗能元件 (D)理想元件 (E)非理想元件
11、串聯(lián)連接回路描述正確的是(AB)。
(A)流過(guò)各電阻的電流相同 (B)加在各電阻的電壓同各電阻的阻值成正比
(C)流過(guò)各電阻的電流不同 (D)加在各電阻的電壓同電阻成反比
(E)電阻和電流，電壓無(wú)關(guān)
12、并聯(lián)連接回路描述正確的是(AB)。
(A)加在各電阻上的電壓相同 (B)總的電流等于各電阻的電流之和
(C)流過(guò)各電阻的電流相同 (D)加在各電阻的電壓同電阻成反比
(E)電阻和電流，電壓無(wú)關(guān)
13、漏電保護(hù)裝置按檢測(cè)信號(hào)分，可分為(AB)。
(A)電壓動(dòng)作型 (B)電流動(dòng)作型 (C)電阻動(dòng)作型 (D)電動(dòng)勢(shì)動(dòng)作型(E)電感動(dòng)作型
14、關(guān)于繼電器的說(shuō)法正確的是(ABC)。
(A)能夠縮短流過(guò)大電流回路的電線(xiàn)，并能將開(kāi)關(guān)設(shè)置遠(yuǎn)離需要接通和斷開(kāi)的回路的地方。(B)能夠?qū)崿F(xiàn)各裝置操作的自動(dòng)化或遠(yuǎn)距離操作。
(C)能夠使用觸點(diǎn)容量小的開(kāi)關(guān)。 (D)能夠替代熔斷器。 (E)能代替保險(xiǎn)絲
15、半導(dǎo)體材料有很多種，按化學(xué)成分可分(AD)。
(A)元素半導(dǎo)體 (B)非元素半導(dǎo)體 (C)單一半導(dǎo)體
(D)化合物半導(dǎo)體 (E)混合物半導(dǎo)體
16、半導(dǎo)體的特性是(ABCDE)。
(A)電阻率特性 (B)導(dǎo)電特性 (C)光電特性(D)負(fù)的電阻率溫度特性 (E)整流特性
17、半導(dǎo)體的分類(lèi)，按照其制造技術(shù)可以分為(ABCDE)等。
(A)集成電路器件 (B)分立器件 (C)光電半導(dǎo)體 (D)邏輯IC (E)模擬IC
18、二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，可分為(AB)。
(A)點(diǎn)接觸型 (B)面接觸型 (C)線(xiàn)接觸型 (D)無(wú)接觸型 (E)全接觸型
19、半導(dǎo)體的特性是(ABCDE)。
(A)電阻率特性 (B)導(dǎo)電特性 (C)光電特性(D)負(fù)的電阻率溫度特性 (E)整流特性
20、關(guān)于二極管的應(yīng)用，正確的是(ABC)。
(A)異常脈沖的吸收 (B)逆電動(dòng)勢(shì)的吸收 (C)防止逆流 (D)穩(wěn)壓 (E)放大功能
21、齊納二極管的作用是(ABD)。
(A)穩(wěn)壓 (B)調(diào)壓 (C)減壓 (D)吸收逆電動(dòng)勢(shì) (E)放大功能
22、屬于晶體管的電極是(BCD)。
(A)觸發(fā)極 (B)發(fā)射極 (C)基極 (D)集電極 (E)放大極
23、NPN型硅管的輸出特性曲線(xiàn)是一組以Ib為參變量的曲線(xiàn)族。曲線(xiàn)族可分為(BCD)。
(A)減少區(qū) (B)截止區(qū) (C)放大區(qū) (D)飽和區(qū) (E)安全區(qū)
24、晶體管的優(yōu)點(diǎn)是(ABC)。
(A)不存在類(lèi)似繼電器觸點(diǎn)磨損、燒損等情況 (B)可以實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)閉
(C)不會(huì)發(fā)生間歇電震 (D)可實(shí)現(xiàn)大電流控制小電流 (E)可實(shí)現(xiàn)電流互換
25、晶體管的運(yùn)用有(ABCE)。
(A)開(kāi)關(guān)回路 (B)電壓限制 (C)電子點(diǎn)火 (D)啟動(dòng)回路 (E)定時(shí)回路
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