LED主題的論文
LED 芯片的制造過程可概分為晶圓處理工序（Wafer Fabrication）、晶圓針測工序（WaferProbe）、構裝工序（Packaging）、測試工序（Initial Test andFinalTest）等幾個步驟。其中晶圓處理工序和晶圓針測工序為前段（Front End）工序，而構裝工序、測試工序為后段（BackEnd）工序。
1、晶圓處理工序 本工序的主要工作是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開關等），其處理程序通常與產(chǎn)品種類和所使用的技術有關，但一般基本步驟是先將晶圓適當清洗，再在其表面進行氧化及化學氣相沉積，然后進行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反復步驟，最終在晶圓上完成數(shù)層電路及元件加工與制作。
2、晶圓針測工序 經(jīng)過上道工序后，晶圓上就形成了一個個的小格，即晶粒，一般情況下，為便于測試，提高效率，同一片晶圓上制作同一品種、規(guī)格的產(chǎn)品；但也可根據(jù)需要制作幾種不同品種、規(guī)格的產(chǎn)品。在用針測（Probe）儀對每個晶粒檢測其電氣特性，并將不合格的晶粒標上記號后，將晶圓切開，分割成一顆顆單獨的晶粒，再按其電氣特性分類，裝入不同的托盤中，不合格的晶粒則舍棄。
3、構裝工序 就是將單個的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蝕刻出的一些引接線端與基座底部伸出的插腳連接，以作為與外界電路板連接之用，最后蓋上塑膠蓋板，用膠水封死。其目的是用以保護晶粒避免受到機械刮傷或高溫破壞。到此才算制成了一塊集成電路芯片（即我們在電腦里可以看到的那些黑色或褐色，兩邊或四邊帶有許多插腳或引線的矩形小塊）。
4、測試工序 芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。經(jīng)測試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級。而特殊測試則是根據(jù)客戶特殊需求的技術參數(shù)，從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片，做有針對性的.專門測試，看是否能滿足客戶的特殊需求，以決定是否須為客戶設計專用芯片。經(jīng)一般測試合格的產(chǎn)品貼上規(guī)格、型號及出廠日期等標識的標簽并加以包裝后即可出廠。而未通過測試的芯片則視其達到的參數(shù)情況定作降級品或廢品。LED 芯片的制造工藝流程： 外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2 腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。LED 芯片的制造工藝流程 其實外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復雜的，在展完外延片后，下一步就開始對LED 外延片做電極（P 極，N極），接著就開始用激光機切割LED 外延片（以前切割LED外延片主要用鉆石刀），制造成芯片后，在晶圓上的不同位置抽取九個點做參數(shù)測試。
1、主要對電壓、波長、亮度進行測試，能符合正常出貨標準參數(shù)的晶圓片再繼續(xù)做下一步的操作，如果這九點測試不符合相關要求的晶圓片，就放在一邊另外處理。
2、晶圓切割成芯片后，100%的目檢（VI/VC），操作者要使用放大30 倍數(shù)的顯微鏡下進行目測。
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